蝕刻銅(鈦)Etch Cu(Ti)
設備名稱/型號:水平式銅(鈦)蝕刻設備
工藝簡介:光刻膠覆蓋有效線路,通過腐蝕液將sputter金屬Cu種子層蝕刻掉,留下需要的線路
工藝流程:噴涂光刻膠—曝光—顯影—蝕刻-水洗-吹干
主要工藝參數(shù):酸性蝕刻液25-40℃噴淋蝕刻銅,時間1-3min/pcs,蝕刻后需充分水洗,水洗壓力:0.8-1.5kg/cm2,時間2-4min/pcs,
工藝簡介:光刻膠覆蓋有效線路,通過腐蝕液將sputter金屬Cu種子層蝕刻掉,留下需要的線路
工藝流程:噴涂光刻膠—曝光—顯影—蝕刻-水洗-吹干
主要工藝參數(shù):酸性蝕刻液25-40℃噴淋蝕刻銅,時間1-3min/pcs,蝕刻后需充分水洗,水洗壓力:0.8-1.5kg/cm2,時間2-4min/pcs,
應用領域
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